滚球app官网 智创芯源央求p-on-n型碲镉汞器件过火坐褥圭臬专利, 进步了砷离子在后续热经管激活经过中的p型激活率以及后续滋长钝化层的薄膜质地
2026-03-31
国度学问产权局信息泄漏,北京智创芯源科技有限公司央求一项名为“一种p-on-n型碲镉汞器件过火坐褥圭臬”的专利,公开号CN121751803A,央求日历为2025年12月。 专利提要泄漏,本发明触及集成电路制造界限,格外是触及一种p‑on‑n型碲镉汞器件过火坐褥圭臬,通过在衬底材料层的名义诞生n型碲镉汞层;在n型碲镉汞层的名义诞生图形化的光刻胶层;在注入通孔的底面诞生注入回击层;将注入回击层与光刻...